Molibden disulfid 2D yarim Supero'tkazuvchilar material sifatida juda yaxshi ishlashga ega, ya'ni osonlik bilan egilgan. Bunday yarimo'tkazgichlarda elektronlar tezda harakatlanishi mumkin. Shu bilan birga, bunday yarim o'tkazgichlar shaffofdir, chunki ular faqat bitta atom qalinligidadir. Ushbu xususiyatlar moslashuvchan OLED displeylarini ishlab chiqarish uchun idealdir. Ammo, ishlab chiqaruvchilar molibden disulfidni OLED piksellarini boshqaradigan tranzistorlarga qayta ishlashga urinishganda, molibden disulfid (MoS2) va manba va tranzistorning drenaji qarshilik juda yuqori bo'ladi, bu ajoyib materialni amalga oshirish mumkin emas. Ilovani oling. Endi, Koreys muhandislari molibden disulfid tranzistorlarini moslashuvchan OLED displeylariga qo'llash uchun yo'l topdilar. Ushbu tranzistorni faqat 7 mikron qalinlikdagi o'lchamdagi plastmassaga oddiy 6 x 6 nuqtali matritsani hosil qilish uchun ishlatgan. Ushbu plastmassa buyumlari inson terisiga qo'llanilishi mumkin. Ushbu oddiy plastmassa ekrani juda yumshoq va bükey radiusda 1 sm dan kam bükülmeden eğilebilir.
Seuldagi Yonsei universitetida moslashuvchan elektronika mutaxassisi Jong-Xyun Ahn «tashuvchilikning harakatlanishi» ular uchun zarur bo'lgan asosiy ishdir. Bu xususiyat yarimo'tkazgich orqali o'tadigan narxni o'lchaydi. Misol uchun, kristalli silikonning eng ko'p chiplarini tayyorlash uchun ishlatiladigan material, har bir voltga ikkinchi darajali 1400 kvadrat santimetrlik harakatga ega (sm2 / Vs). Ekran orqa tarafini tashkil etuvchi yarimo'tkazgichlar piksellarni almashtirish va yoritish uchun tizimdir. Kerakli taşıyıcı harakatchanlik, bu piksellerin foydalanish uchun etarli oqim va video bit tezligi ega bo'lishi kerak. "An'anaviy LCD-displeylar uchun orqa qatlamlari amorf silikondan kamroq tashuvchilik bilan harakatlanishi mumkin", deydi Ahn. Materialda elektronning harakatlanishi taxminan 1 sm / V-soniyani tashkil etadi. Ammo OLED displeylari yuqori tashuvchilik harakatchanligini talab qiladi. LG va Samsung kabi OLED displey ishlab chiqaruvchilari polysilicon (> 10 sm 2 / V-sek) va oksidi yarim o'tkazgichlari kabi yuqori harakatlanuvchi materiallardan foydalanadilar. Biroq, "bu materiallar qattiq va mo'rt bo'lib qolmoqda", dedi Ahn. Ular muayyan darajada egiluvchan bo'lishi mumkin, lekin ular bir necha marta egilgan bo'lishi mumkin emas.
Molibden disulfid tranzistor yuqori va pastki yo'nalishdagi ikki qatlamli alyuminiy oksidi (Al2O3) bilan quyiladi. Ushbu qurilma yuqori harakatga ega va yuqori mobillik OLED displeyining piksellariga oqim berish uchun juda muhimdir. Ultra nozik moslashuvchan OLED displeyini yaratish uchun, Ahn va uning jamoasi tranzistordan molibden disulfidni chiqarib tashlashi kerak edi. Ahn shunday dedi: "Molibden disulfid va tranzistor elektrod o'rtasidagi kontakt qarshilik juda yuqori va yuqori qarshilik molibden disulfid tranzistorining tashuvchisining harakatlanishini kamaytiradi." Muammoni hal qilishning asosiy sharti - 2D yarim o'tkazgichlar atrofdagi materiallarga juda moyil ekanligini tushunishdir. . Transistorlar silikon oksidi yuzasiga joylashtirishning odatdagi usullaridan farqli o'laroq, Ahn jamoasi juda yumshoq va nazorat qilish oson bo'lgan materiallardan foydalanadi. Ular tranzistorni izolyatsiya qiluvchi alyuminiy oksidining ikki qatlamida sandviç qildi. Alyuminiy oksidi va molibden disulfid orasidagi interferentsiya yarim Supero'tkazuvchilar ichida elektronlarni ko'paytiradi, xuddi shunga o'xshash, yarim Supero'tkazuvchi bo'lish uchun silikon materialga doping kimyosi fenomeniga o'xshash. Ushbu takomillashtirish yuqori kontakt qarshilik muammosini yengib chiqadi va zaryadlovchilarning harakatlanishini yaxshilaydi. Bunga qo'shimcha ravishda, silliq dielektr materiallar zaryadni tuzatadigan datchiklarni yaratmaydi va har bir volt-sektsiya uchun harakatni 17-20 kvadrat santimetrga oshiradi.
Ular bu ixtironi "Science Advances" jurnaliga bu hafta taqdim etdilar.
