Chet el matbuotining xabarlariga ko'ra, Frantsiya Atom Energiyasi Agentligi (CEA) ning filiali bo'lgan elektron axborot texnologiyalari instituti (Leti) muhandislari, Micro LED'larni ishlab chiqarishning yangi usuli yuqori samarali ko'rsatkichlar ishlab chiqarishni LCD'lar va organik LEDlarga (OLED) nisbatan mukammal tasvir sifati va energiya samaradorligini loyihalash.
Leti Photonics kompaniyasining marketing strategiyasining direktori Francois Templier yaqinda Kaliforniya shtatining San-Xose shahrida yorituvchi nurli yarim o'tkazgichlarni Xalqaro Axborot Dispetchlari Jamiyatida (SID) silikon asosidagi haydovchilar bilan birlashtirgan yangi ishlab chiqarish jarayonini namoyish qildi.
Katta o'lchamli displeylarni ishlab chiqarish yuqori aniqlik talabini talab qiladi, shuning uchun tezda elektron qurilmalar barcha displey turlarini, jumladan, millionlab shaxsiy piksellarni chiqaruvchi vositalarni o'z ichiga olgan Samsungning yangi tijoriy mikrosxemalarini haydash uchun kerak. LED formati va boshqa mahsulotlar.
Shu bilan birga, nozik kino transistorlar (TFT) asosida faol matritsa konstruktsiyalariga asoslangan mavjud chastota diapazonlari kerakli oqim va tezlik talablarini ta'minlamaydi. Leti tomonidan ishlab chiqilgan yangi uslublar an'anaviy TFT arkaplana bo'lgan ehtiyojni bartaraf etadigan soddalashtirilgan uzatish jarayoni bilan CMOS tomonidan boshqariladigan yuqori sifatli GaN Micro LED displeyini ishlab chiqaradi. Qizil, yashil va ko'k rangli LEDlar har bir qurilmani oddiy qabul qiluvchi substratqa yuborishdan oldin to'g'ridan-to'g'ri mikro CMOS pallasida yig'iladi va yoritgichlar va orqa panel bir vaqtning o'zida bir yarim o'tkazgich ishlov berish liniyasida gofrirovka skalasida ishlab chiqariladi.
